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固態硬碟帶動 今年NAND需求可成長36%

上網時間: 2014年01月14日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:固態硬碟  NAND Flash  TrendForce  記憶體  需求 

全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查,受惠智慧型手機平板電腦固態硬碟的強勁成長, 2013年 NAND Flash 需求年增率高達46%,產值較2012年成長22%,來到246億美元;而 2014年在固態硬碟應用逐漸滲透到企業端用戶帶動下,預期 NAND Flash 需求可達36%成長,產值可突破270億美元。

TrendForce研究協理楊文得表示:「隨著製程演進,NAND Flash成本已逐漸降至OEM廠商的甜蜜點,因此未來將有更多的終端裝置導入NAND Flash。」從製程轉進的腳步來看, NAND Flash 業者從去年第三季以來陸續轉進1X奈米製程,同時20奈米等級的SSD、eMMC和eMCP等嵌入式產品也廣泛被應用在各種行動裝置中,因此 2013年第四季20奈米與1X奈米出貨比重已突破90%,成為NAND Flash主流製程。

隨著製程微縮在1X奈米以下將面臨物理限制的挑戰,各家NAND Flash業者紛紛加速開發3D-NAND Flash的技術來突破單位面積儲存容量的限制,而自從三星(Samsung)在 2013年8月份宣告將以 3D NAND Flash進軍伺服器等級固態硬碟以來,使得其他陣營更加速3D-NAND Flash的開發腳步。

楊文得表示,觀察各家目前3D-NAND Flash開發進度,三星電子從去年下半年開始生產「V-NAND」以來,憑藉著自行開發的固態硬碟控制晶片,縮短整合控制晶片與NAND Flash晶片的時效,並且充分發揮3D-NAND Flash適合高容量產品的優勢,透過以堆疊24層所組成的128Gb晶片,目標直接揮軍伺服器等級固態硬碟,並且在去年第四季開始已陸續送樣給伺服器業者或是資料中心製造商進行測試,因此三星電子目前在3D-NAND Flash應用進度領先其他業者,而三星的V-NAND製造基地將以韓國廠與新設立的中國西安廠為主。

而開發3D-NAND Flash技術「BiCS」的東芝(Toshiba)與SanDisk陣營同樣也展現明顯的企圖心。該陣營的3D-NAND Flash產品將從今年第二季起開始小量試產,目標在2015年前能夠順利銜接現有1Y與1Z奈米技術,而為了後續3D-NAND Flash的量產鋪路,東芝和SanDisk所共同投資位於日本三重縣四日市的第五號半導體製造廠第二期工程擴建計畫也預計今年第三季完工,自今年第四季起可順利進入規模化生產。

另一方面,SK海力士(Hynix)與美光(Micron)、英特爾(Intel)陣營也明確宣告各自3D-NAND Flash的藍圖將接棒16奈米,計畫將在今年第二季左右可送樣測試,最快將在第四季進入量產。因此,雖然2014年多數廠商的3D-NAND Flash進展多半停留在送樣階段,TrendForce預期2014年3D-NAND Flash產出比重僅有3%。

然而3D-NAND Flash的開發速度確實有超乎預期的進展,隨著廠商在2015年將開始量產3D-NAND的局勢來看,預期在經過2014年的軍備競賽後,2015年3D-NAND Flash市佔率將可提升至20%以上,隨著3D-NAND Flash的成熟,NAND Flash單位成本將呈等比級數下滑,屆時儲存容量性價比將可有效提升。

各製程NAND Flash產出比例
各製程NAND Flash產出比例





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