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功率技術/新能源  

快捷新型中壓MOSFET實現功率利用最佳化

上網時間: 2014年03月03日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FDMC86xxxP  PowerTrench  MOSFET  FDMC86261P  FDMC86139P 

因應 IP 電話、馬達控制電路、主動箝位開關與負載開關等越來越多終端應用要求在更小封裝內實現更佳能效的趨勢,快捷半導體(Fairchild Cemiconductor)研發 FDMC86xxxP 系列產品,採用 P 通道 PowerTrench MOSFET 來減少封裝,同時實現卓越的開關速度和功耗。

該系列包括 FDMC86261P 150 V和 FDMC86139P 100 V P 通道 MOSFET 。相較於競爭元件,P 通道 MOSFET 可改善開關效能品質因子(FOM)達 67%,令其他競爭元件望塵莫及。另外,導通損失改善 46%,開關損失改善 38%。這讓設計者能夠縮減封裝,改善整體系統效能。

該系列元件採用 3 mm x 3 mm MLP 封裝,而競爭解決方案的封裝大小為 5 mm x 6 mm,因此可節省電路板空間。此外, FDMC86xxxP 系列還可滿足客戶降低熱特性的要求,功率損失更低,因而實現更高能效。元件還可在此封裝內實現最低的 RDS(ON) 。

快捷半導體低壓產品市場總監 Mike Speed 說︰「眾所周知,傳統產品具有較高的功率損失,使其在目前的電源和馬達電路中並非是高效的解決方案。轉而使用 FDMC86xxxP 系列產品,客戶在其應用中可降低功率損失高達 50%,改善整體系統效能,因此可降低其終端產品的能耗,有助於保護地球資源。」

該系列MOSFET的重要特色包括極低的RDS(ON),中壓 P 通道矽技術經最佳化,可實現低 Qg;最佳化設計,適用於快速開關應用以及負載開關應用;100% UIL 測試,同時符合 RoHS 標準。

快捷半導體瞭解對於 DC-DC 電源有著電流更大、佔用空間卻更小以滿足空間受限應用的需求,並瞭解其目標客戶及所服務的市場,進而將產品功能、製程及封裝方面的創新技術完美結合,量身定製應用於對電子設計具有重要作用的解決方案中。





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