Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 製造/封裝
 
 
製造/封裝  

ST與夥伴合作開發28奈米FD-SOI超寬電壓DSP

上網時間: 2014年04月02日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:CEA-Leti  ST  FD-SOI  DSP  超寬電壓範圍 

法國微電子研究機構 CEA-Leti意法半導體(STMicroelectronics,ST)攜手展示了一個基於28奈米超薄體以及下埋氧化層(UTBB,ultra-thin body buried-oxide) FD-SOI 技術的超寬電壓範圍(ultra-wide-voltage range,UWVR)數位訊號處理器(DSP)。

該元件由意法半導體採用 28奈米超薄體以及下埋氧化層的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)製程,基底電壓(body-bias-voltage)調壓範圍0V至+2V,可降低電路最低工作電壓,在400mV時支援460MHz時脈頻率(clock-frequency)。

透過整合雙方的設計技術,展示元件取得了超寬的電壓範圍、更高能效和空前的電壓效率和頻率效率。意法半導體和Leti開發並最佳化了0.275V~1.2V標準單元庫:透過利用非重疊功率-性能特性,取得了理想的實現成果。在最佳化單元中,快速脈波觸發型正反器(fast pulse-triggered flip-flops)是針對低壓可變性容限設計。

此外,晶片內部時序餘裕監視器(timing-margin monitors)動態調整時脈頻率,使其為最大工作頻率的百分之幾,時序調整與電源電壓值、基底電壓值(body-bias-voltage value)、溫度和製程無關。因此,即便在0.4V時,該數位訊號處理器工作頻率仍可提高9倍。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - ST與夥伴合作開發28奈米FD-SOI超寬電壓...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首