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智原發表聯電28奈米元件庫與記憶體編譯器

上網時間: 2014年04月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:28奈米  HPM  HLP  UHS-Lib  PowerSlash 

智原科技(Faraday Technology)發表在聯電28奈米高效能行動運算(HPM)與高效能低功耗(HLP)製程的元件庫(cell library)與記憶體編譯器(memory compiler)。這套完整的28奈米解決方案,可滿足市場對低功耗、高密度與高速效能的需求,並有效提高良率。

因應不同市場的需求,智原科技的28奈米元件庫中,包含了7軌的 minilab 、9軌的通用型元件庫、以及12軌的 UHS-Lib 。同時,全系列都搭載了 PowerSlash 、多種臨界電壓元件、不同通道長度元件(multi-channel length)等低功耗機制。當中, miniLib 在不影響繞線能力(routability)的情況下,可大幅縮小晶片面積,約達20%;而12軌的 UHS-Lib 則可提高ARM CPU 的效能,達到1.5GHz。

為了克服先進製程中的高度變異性,智原的28奈米記憶體編譯器,採用多種輔助電路來提高產出的良率與效能。其中,智原專利的 NBL (Negative BitLine)技術可在低壓狀況下,強化寫入的能力,且經矽驗證,可在28奈米 HPM 變異最大(worst corner)的製程條件下,提升良率。

而新一代的感測電壓追蹤技術與 DPRAM 的儲存單元電流增強技術(cell current boost)可增加讀取成功率,降低最低工作電壓約200mV。另一項獲得專利的 WLUD 技術,在測試晶片上,也已經被證實可有效降低讀取干擾。而 ROM 的部份,智原則採用最新的字元線漏電控制(bit-line leakage suppression),與隨製程變化自動調整的位元線升壓(adaptive word-line boost)技術,進一步擴大低壓條件下的讀取範圍。





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