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應材發佈重大導線技術材料變革

上網時間: 2014年06月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:Endura Volta  化學氣相沈積  CVD  Endura Ventura  PVD 

應用材料公司(Applied Materials)宣佈其全新 Endura Volta 化學氣相沈積(CVD)系統加入獨特的鈷金屬後,一舉突破導線技術傳統瓶頸,讓「摩爾定律」持續向下進展到20奈米。此外,應材的 Endura Ventura 實體氣相沈積(PVD)系統不但成功協助客戶降低成本,更可製造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型 3D 晶片。

在強大技術創新突破的支援下,應用材料公司在營運方面也頗有斬獲。應用材料公司台灣區總裁余定陸表示,拜半導體事業的蓬勃發展與應用材料公司不斷追求創新與研發的技術優勢之賜,應用材料公司第二季營收達23.5億美元,較去年同期大幅成長19%;此外毛利率也達44.2%,營業利益率則達20.5%。

余定陸透露,「應用材料公司的市佔率也來到近七年的新高,比去年提升1.4個百分點;應用材料公司在絕大多數的產品線都出現顯著成長,蝕刻(Etch)與檢測(PDC)機台產品在市場也大有斬獲,營收雙雙創下近期新高紀錄。」

余定陸表示,為半導體產業提供成長動能的行動裝置,也持續為應用材料公司帶來許多轉折,原因是「我們的客戶需要能夠製造出低耗電、高效能、更快、更便宜的解決方案,這個轉折點尤其有利於應用材料公司發揮精密材料工程方面的領導地位。」

據統計,2010年至2013年晶圓設備產業已連續4年資本支出都達到300億美元的規模,2014年更可望成長10%至20%,顯示此一產業的成長依舊強健。余定陸表示台灣晶圓設備市場的成長尤為驚人,遠高於業界平均,預期到明年,近五年的成長率將達到47%的高水準。

關於製程方面,余定陸預測2014年將是晶圓代產業20奈米技術與 3D NAND 起飛量產的一年,技術層面上最重要的轉折點包括從2D的微影微縮(litho-scaling),轉變為 3D 材料與結構上的創新,而使用的材料種類也同時大幅增加。

余定陸同時表示,晶圓代工產業也將從過去的 SiON 氮氧化矽進化到 HKMG 高K值金屬閘極,再發展到 3D 鰭式場效電晶體(FinFET)。從28奈米技術的 HKMG 演進至16奈米/14奈米技術的 FinFET ,應用材料公司在這個市場的商機規模,可望增加25%~35%。

余定陸強調,應材公司的 Endura Volta CVD 系統加入鈷金屬後,不但帶動近15年來最重大的導線技術材料變革,也解決覆銅電路長期面對的關鍵挑戰,讓「摩爾定律」一口氣突破20奈米瓶頸,成為目前市面上唯一能夠做到精密鈷金屬薄膜沈積的機台。此外,在 Endura Ventura PVD 系統方面,除了展現應材公司的精密材料工程技術,也獨特地支援以鈦作為阻障層量產的替代材料,能節省更多成本,這套領先業界推出高量產等級的矽穿孔(TSV)金屬化製程解決方案,大幅提高 TSV 製程的可靠性。





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