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美高森美全新SiC MOSFET瞄準高壓產業應用

上網時間: 2014年06月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:碳化矽  SiC  MOSFET  蕭特基二極體  太陽能轉換器 

美高森美公司(Microsemi Corporation)推出全新碳化矽(SiC) MOSFET 系列產品 ─ 1200V解決方案。這系列創新 SiC MOSFET 元件設計用於效率極為重要的大功率產業應用,包括用於太陽能轉換器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案。

美高森美擁有利用 SiC 半導體市場成長的良好條件,據市場研究機構Yole Developpement估計,從2015年至2020年, SiC 功率半導體市場的同比成長率將達到39%,而且Market Research預計 SiC 半導體市場將於2022年達到53億美元,同比成長率38%。

全新 SiC MOSFET 元件採用來自美高森美的專利技術,特別設計以協助客戶開發在更高頻率下執行並提升系統效率的解決方案。

美高森美的專利 SiC MOSFET 技術特性包括 :

  •同級最佳的RDS(on)對比溫度

  •超低閘極電阻,將開關能耗減到最少

  •出色的最大開關頻率

  •卓越的穩定性和出色的短路耐受性

美高森美功率產品組總經理Marc Vandenberg表示:「美高森美的1200V SiC MOSFET 設立了全新的性能基準,我們利用公司內部的 SiC 製造能力,繼續擴大 SiC 產品組合,為客戶提供創新的大功率解決方案。」

美高森美 SiC MOSFET 還可以整合進公司擴展的 MOSFET 功率模組中,用於電池充電、航空航太、太陽能、焊接和其它大功率產業應用。新的功率模組具有更高的工作頻率並提升了系統效率。此外,美高森美的 SiC MOSFET元件也與公司完整的 SiC 蕭特基二極體系列產品相輔相成,全新的1700V SiC蕭特基二極體將產品線擴展至1200V和650V以上,這些產品設計使用出色的鈍化技術,在室外和潮濕應用中實現耐用性。

美高森美的1200V SiC MOSFET 元件的額定電阻為80mΩ和50mΩ,通過同時提供業界標準TO-247和SOT-227封裝,可為客戶提供更多的開發靈活性。美高森美現已提供採用TO-247封裝的新型1200V SiC MOSFET 元件,並將於2014年7月提供 SOT-227 封裝型款,另外,現在也提供SiC MOSFET 功率模組和1700V肖特基二極體產品。





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