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產業專家:MRAM的時代還沒來!

上網時間: 2014年07月02日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MRAM  快閃記憶體  非揮發性  DRAM  取代 

磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)或許在許多應用領域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力,但就連市場上唯一家生產這種非揮發性記憶體的供應商都認為,這種取代的過程得花上好一段時間。

一份來自資料儲存產業顧問機構 Coughlin Associates的報告指出,全球 MRAM 市場複合年成長率(CAGR)可達50%,包括MARM與STT-MRAM在內的整體市場營收將由 2013年的1.9億美元,在2019年達到21億美元。

Coughlin Associates創辦人Tom Coughlin表示,MRAM一個最顯著的優勢是能與CMOS製程相容,此外因為該製程技術成熟,相關的整合與 3D NAND 技術比起來比較不那麼令人卻步。他指出,MRAM技術的演進可能會追隨快閃記憶體的腳步──也就是在被廣泛採用以及價格下降、儲存密度提升之前,先在一些利基型應用領域贏得青睞。

Coughlin並指出,STT (Spin-Torque-Transfer,自旋力矩轉移)-MRAM特別能提供在讀取/寫入以及耐久性方面的優勢。而Gartner分析師Brady Wang則表示,MRAM被發現用來做為固態硬碟(SSD)的快取記憶體,但其密度仍然太低,通常應用在工業領域。

MRAM勝過DRAM的優勢在於其非揮發性;Wang表示,,就像NOR或NAND快閃記憶體一樣,STT-MRAM能在沒有持續外部供電的情況下保存資料,而且其耗電量很低。此外由於結構簡單,MRAM的擴展性也優於SRAM,能提升微縮程度並可望進一步降低製造成本。

而Wang也指出,與NAND快閃記憶體相較,STT-MRAM能在沒有中間的抹除步驟情況下,在儲存0與1之間切換;而該抹除步驟在快閃記憶體內是不可少的,也增加了寫入延遲。這使得設計STT-MRAM控制晶片相對比設計NAND快閃記憶體控制晶片簡單許多。

Wang表示,目前市場上唯一生產MRAM晶片的廠商是Everspin Technologies,目前產品最大記憶體容量為64Mb;而128Mb甚至1Gb的MRAM可能會在未來兩年內問世,其中1Gb產品將可望讓MARM進軍消費性應用。

Everspin產品行銷總監Joe O'Hare表示,其MRAM產品(該公司在5年多前就開始推出),一開始應用在工業領域;而Everspin也已看到包括工業自動化、機器人、交通運輸以及醫療等應用領域對MRAM的廣泛採用。不過MRAM最大的成長動力是來自企業儲存。

隨著容量提升,Everspin將MRAM視為非揮發性記憶體獲得進一步採用的橋樑,在能提供媲美DRAM的性能同時,也能有更多像快閃記憶體一樣的儲存記憶體。O'Hare表示,隨著各種新興技術出爐,MRAM可望成為永久性、高性能儲存技術的關鍵選項。

MRAM在企業儲存領域的應用案例之一是RAID系統,O'Hare指出,這類應用的考量是要在電力喪失時迅速復原;MRAM被應用於儲存元資料(metadata)以及儲存系統資料,因此如果電力中斷,系統資訊仍能被保存在非揮發性MRAM,讓RAID系統能更快自我重建。

O'Hare也表示,Everspin還看到MRAM在其他企業儲存領域的許多應用,那些應用不需要DRAM的容量密度,但可利用非揮發性記憶體的優勢;這個市場的規模很夠分量,而且並不是以價格來競爭,系統的可靠度才是重要推手。

不過Objective Analysis首席分析師Jim Handy 表示,最終價格與容量密度才是決定MRAM是否能大規模取代DRAM 或SRAM的關鍵,雖然其低功耗特性很吸引人,但大多數企業組織並不會去做那樣的整體擁有成本(TCO)估算;MRAM能在某些應用領域取代SRAM,以免除很容易出現故障的備用電池需求。

Handy指出,看重MRAM非揮發特性的產業(例如將其應用在ATM的金融業),會願意為這種記憶體付出較高的代價;可是在目前,DRAM與快閃記憶體搭配各自的技術演進,仍扮演稱職的角色,因此並沒有立即性的理由被取代。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Magnetic RAM Remains Niche Memory – for Now,by Gary Hilson)





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