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科銳高功率GaN RF電晶體提高電信系統傳輸速率

上網時間: 2014年07月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:塑膠封裝  氮化鎵  GaN  電晶體  Psat 

科銳公司(CREE)推出以創新塑膠封裝設計為基礎的新型高功率氮化鎵(GaN)射頻(RF)電晶體系列,在低成本平台上充分發揮了出色的氮化鎵射頻性能。初步推出的產品包括業界第一個300W、2.7GHz作業的塑膠封裝電晶體,提供先進的65% Psat效率和頻寬性能,而價格約只有以業界標準陶瓷封裝的氮化鎵電晶體的一半。

新型的氮化鎵電晶體可擴展至高功率水準,能在高達3.8GHz範圍內的所有蜂巢式電信頻段上運作,同時可望實現更小、更低成本的大型蜂巢基地台(macrocell)無線電單元,以支援今日蜂巢式LTE網路不斷成長的資料需求。

ABI Research研究部總監Lance Wilson指出:「無線電信基礎設備的射頻電晶體市場每年接近十億美元。雖然 Silicon LDMOS 技術在過去二十年一直居於主導地位,但是近年氮化鎵射頻功率元件憑藉其性能表現已獲取相當程度的市佔率,不過由於它的高成本因素,因此市場接受度至今仍受限。科銳的最新高功率塑膠系列產品可降低氮化鎵電晶體的成本至接近 Si LDMOS 的程度,並可加速在電信應用上更廣泛的採用。這將使氮化鎵電晶體成為下一代無線網路的主要選擇。」

科銳的新型寬頻氮化鎵電晶體具有橫跨多個蜂巢系統頻段運作的靈活性,協助網路營運商部署載波聚合(CA)解決方案,可加入不同的光譜頻段和創造更大的資料管道,以支援更快的下載速度,並提供額外的網路容量。此外,蜂巢式基地台OEM廠商也能藉著利用少數特定頻段放大器滿足市場的需求,因而善用這項靈活性來加速產品上市。

此外,科銳經驗證的氮化鎵技術提供無可匹敵的效率,可提升系統的散熱設計並降低成本。更高效率的解決方案有助開發更小且更輕的無線電單元,為已過於擁擠的蜂巢式高塔減輕負擔。同時,提升了的效率也能顯著節省公共事業執行網路的成本。

科銳射頻事業部總監Jim Milligan表示:「我們新推出的低成本高性能塑膠封裝電晶體系列,將改變電信OEM廠商對基地台平台設計處理方式,為蜂巢式營運商提供更多的靈活性和連網選項以服務客戶。我們新的封裝平台能夠打破造成電信基礎設備供應商無法完全開拓氮化鎵性能的主要成本障礙,在高成本效益的解決方案上提供寬頻和高效率性能,我們相信在設定好新標準的性能和價格後,氮化鎵已做好受到快速採用的準備。」

科銳現已開始供應功率為60、100、150、200和300瓦特的新型塑膠封裝氮化鎵 HEMT 射頻電晶體,這些產品可在高達3.8GHz的頻率範圍運作。此外,該系列還提供對690~960 MHz和1800~2300 MHz或2300~2700 MHz蜂巢式頻段預先配對的電晶體產品。用於Doherty放大器的科銳氮化鎵塑膠封裝電晶體,在電壓50V的7.5dB PAR LTE 訊號下,2.6GHz時的平均功率為80W,汲極效率(drain efficiency)為50%,而額定輸出功率具有17dB增益。整個50V塑膠氮化鎵電晶體系列已經驗證,符合濕度感應等級3(MSL-3)與JEDEC環境標準。





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