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英飛凌第5代SiC蕭特基二極體提升效率與可靠度

上網時間: 2014年07月09日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:thinQ!  SiC  Schottky  二極體  IGBT 

英飛凌科技(Infineon Technologies)推出第5代1200V thinQ! SiC Schottky 二極體,擴展全方位的 SiC 產品組合。全新的1200V SiC 二極體具有即使在作業溫度下,也有超低的正向電壓、提高100%以上的突波電流能力,以及絕佳的散熱特性。這些特色能顯著提高太陽能轉換器、不斷電系統(UPS)、三相切換模式電源供應器(SMPS)及馬達驅動器的效率及耐作為業。

「第 5 代」SiC 二極體使用全新的精簡型晶片設計,這是透過將 pn 接面的工程設計合併在 Schottky 電池場中達成。這使得每個晶片面積有更小的微分電阻,因此讓二極體的損耗較前一代降低高達30%;例如 20 kHz切換頻率,滿載作業的三相太陽能轉換器之前端升壓級。

在接面溫度 150℃ 下,典型的正向電壓僅有 1.7V,比前一代還要少 30%。這也是 1200V SiC 二極體市場中現有最低的正向電壓。因此,此款全新的 SiC 二極體特別適用於以相對高負載(如 UPS 系統)作業的應用上。此外,即使在低切換頻率下,也能提升系統效率。

依據二極體的額定電流值,現在突波電流的能力提升至額定電流的14倍,足以確保在突波電流的應用上,二極體仍能持久耐作為業。旁路二極體可以省略不用,因而降低複雜性與系統成本。

英飛凌 IGBT 及 SiC 功率分離式元件行銷協理 Roland Stele 表示:「全新第 5 代 SiC 二極體展現了英飛凌的目標,提供能協助客戶從他們的設計中得到最高效率的產品。二極體損耗減少、範圍更廣的切換頻率,同時因提升的突波電流能力,而使可靠性更好。英飛凌最新一代的 SiC Schottky 二極體在充分發揮深具前景的 SiC材料潛力上,向前邁進了一大步。」

應用全新的 1200V thinQ! SiC Schottky 二極體搭配英飛凌同級最佳的 1200V Highspeed3 IGBT 在升壓及功率因子校正(PFC)升壓拓樸結構上,帶來系統層級的顯著效益。不僅二極體損耗降低,同時也因導通損耗減低(導致更小的散熱片或提高效率)、以及相較於使用傳統 Si 二極體的解決方案有更低的 EMI (更小且具成本效益的 EMI 濾波器),Highspeed3 IGBT 在效能上獲得改善。

完整的第 5 代 SiC 二極體產品組合包括 TO-247、TO-220 及 DPAK 套件。除了是 TO-247 封裝同級中最佳的全新 40A 二極體以外,其共陰極的雙配置能更進一步為提供的交錯拓樸結構節省空間。TO-247 封裝樣品,將於 2014 年 7 月開始量產。其他的封裝版本將於 2015 年推出。





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