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ST款100V電晶體為汽車應用帶來更高能效

上網時間: 2014年09月19日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:STripFET F7  功率MOSFET  STH315N10F7-2  STH315N10F7-6  STP315N10F7 

意法半導體(STMicroelectronics;ST)最先進的 STripFET F7 系列低電壓功率MOSFET 新添三款100V車規產品。 STH315N10F7-2 、 STH315N10F7-6 和 STP315N10F7 最佳化了體汲極二極體(body-drain diode)性能,在工作電壓範圍內最大幅度地降低電壓突波(voltage spikes)和開關噪音,實現更穩固、更可靠和更高效的設計。

STripFET F7 經強化的通道閘(trench-gate)架構可降低通態電阻,同時降低內部電容器和閘電荷,使開關速度更快、能效更高。這三款產品將這些優勢導入汽車市場,創下汽車市場上最低的RDS(on) x 面積和關機電能(Eoff)參數。

新產品對 Crss/Ciss 電容器比進行了最佳化設計,最大幅度地降低開關噪音,結合適合的二極體反向恢復軟度(reverse-recovery softness),可降低 EMI / EMC 電磁輻射,因此無需外部濾波電路,因而降低了電路板面積和成本。

新功率 MOSFET 是意法半導體針對汽車應用專門開發的產品,能夠滿足汽車應用對大電流、高功率密度和高能效的要求,目標應用包括混合動力汽車和電動車的 DC/DC 轉換器、 DC/AC 轉換器和諧振 LC 轉換器。

三款產品全都獲得AEC-Q101車規產品認證。 STH315N10F7-2 和 STH315N10F7-6 採用低雜散電感(stray inductance)、高輸出電流的H2PAK封裝,而 STP315N10F7 採用標準的 TO-220 封裝。

STH315N10F7-2 和 STH315N10F7-6 現已量產。





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