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功率技術/新能源  

IR擴充超高速通道IGBT與StrongIRFET MOSFET系列

上網時間: 2014年11月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:StrongIRFET  MOSFET  IRGP47xx  IGBT  通道纖薄晶圓技術 

國際整流器公司(International Rectifier,IR)推出多款堅固可靠的 650V IRGP47xx 元件,藉以擴充絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)系列。此外,IR並擴充 StrongIRFET MOSFET 系列,為多種工業應用推出75V元件,包括電動工具、輕型電動車轉換器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流。

全新的 IGBT IRGP47xx 系列提供從15A到90A的電流範圍,並利用通道纖薄晶圓技術降低導通損耗和開關損耗,以提升系統效率。這些產品可作為分離式元件或與軟恢復低 Qrr 二極體一起封裝,能夠為8KHz到30KHz的超高速開關作出最佳化,因而提供高達6us的短路額定值,以及有助於並聯的VCE(ON)正溫度係數。

此外,該元件具有較高的崩潰電壓,即使在極端天氣及交流線路不穩定的情況下也能提高可靠性,不需電壓抑制元件。新的650V IRGP47xx IGBT 旨在為多種快速開關應作為出最佳化,包括太陽能轉換器、焊接設備、工業用馬達、感應加熱及不斷電供應系統。

IRGP47xx 系列適用於寬廣的開關頻率範圍,在100℃下提供一般僅1.7V 的低VCE(ON)及低總開關損耗,有效減少功耗。新產品以封裝元件供應,其他主要功能包括最高達175℃的工作和低電磁干擾,有助於提升可靠性。

全新的75V StrongIRFET 功率 MOSFET 系列則配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻(RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體,以及有助於提升雜訊免疫力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過業界最高雪崩電流等級的雪崩測試,能夠為要求嚴格的產業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件採用穿孔式封裝。

採用穿孔式封裝的75V StrongIRFET 產品現正接受量產訂單。





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