Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 功率技術/新能源
 
 
功率技術/新能源  

ST全新M系列IGBT提升太陽能及工業電源能效

上網時間: 2014年12月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IGBT  太陽能  STGW40M120DF3  STGW25M120DF3  STGW15M120DF3 

意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出全新M系列1200V IGBT ,以先進的溝槽式場截止(trench-gate field-stop)技術為特色,有效提升太陽能逆變器、焊接設備、不斷電系統與工業馬達驅動器等多項應用的能效與可靠性。

高度最佳化的傳導性與關斷性以及低導通耗損,讓全新進化的 IGBT 特別適合用於執行頻率高達20kHz的硬式開關電路;可承受的最高工作溫度提高至175°C,寬安全工作範圍(SOA)無鎖定(latch-up free)效應,150°C時的短路耐受時間(short-circuit withstand time)為10us,這些特性確保新產品在惡劣的外部電氣環境中具有更高的可靠性。

新產品所使用的第三代技術包括新的先進溝槽式結構設計和最佳化的高電壓 IGBT架構,可最大幅度地降低電壓過衝、消除關機期間常出現的振盪現象,有效減少了電能的耗損並簡化電路設計。在此同時,低飽和電壓(Vce(sat))可確保新產品具有很高的傳導效率、正溫度係數與窄飽和電壓範圍可簡化新產品的平行設計,有助於提高功率處理性能。

新產品還受益於經提升的導通效率。此外,新產品與 IGBT 反向平行(anti-parallel)的新一代二極體一同封裝,帶來快速的恢復時間和更佳的軟度回復特性且不會使導通耗損明顯上升,進而實現更出色的 EMI 性能表現。

40A STGW40M120DF3 、25A STGW25M120DF3 和15A STGW15M120DF3 三款產品採用標準的 TO-247 封裝, STGWA40M120DF3 、 STGWA25M120DF3 和 STGWA15M120DF3 三款產品採用 TO-247長針腳封裝,目前均已開始量產。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - ST全新M系列IGBT提升太陽能及工業電源...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首