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旺宏下世代NOR Flash系列瞄準穿戴式裝置市場

上網時間: 2015年01月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NOR Flash  記憶體  MX25R  穿戴式裝置  KGD 

旺宏電子(Macronix)宣佈推出新系列高效能、寬電壓/超低功耗的下世代 NOR Flash 記憶體解決方案—— MX25R 系列,可作為穿戴式裝置設計的理想選擇。

新型寬電壓/超低功耗 MX25R 產品家族採用標準 Serial NOR 快閃記憶體介面、提供超小體積如 USON 、 WLCS P的封裝產品,亦可提供良裸晶KGD與主晶片搭配:Vcc寬電壓設計 (1.7V∼3.6V) 比傳統減少60%以上的超低功耗,可以依照穿戴式產品不同需求來做選擇。

目前,穿戴式裝置市場正快速起飛,IDC統計指出,到2018年市場總量約可擴大到1.12億台的規模,年複合成長率達78.4%;針對此龐大的穿戴式裝置商機,旺宏電子加速開發相關產品解決方案(如寬電壓/超低功耗 NOR Flash ),希冀在此日益成長的市場搶佔一席之地。

旺宏市場行銷處副處長林民正表示:「因應此波智慧穿戴式裝置的需求,低功耗、微小化的元件設計將會是穿戴式裝置能否快速普及的主要關鍵因素;而下世代記憶體將會朝新方向發展:介面採標準化,容易導入為優先;外型規格越小越輕薄;以及,供電設計則以低電壓與低耗能為主。」

目前,旺宏廣泛應用於穿戴式產品的 NOR Flash 產品解決方案,除了此次新推出的寬電壓/超低功耗 MX25R 產品家族之外,主要還包括1.8V 512Kb∼512Mb Serial NOR 系列產品,可搭配 KGD 良裸晶、 WLCSP 晶圓級封裝等小尺寸封裝,而 MCP 多晶片封裝記憶體也已有許多智慧穿戴科技產品選用。

此外,旺宏在創新記憶體技術的研發上也不遺餘力,主要為垂直閘極(VG)的 3D NAND ,採自家專利的 BE-SONOS 技術,突破製程極限。而磁變電阻式記憶體(ReRAM)技術則提供高速、低耗電、簡單儲存單元架構,更可在未來應用於穿戴式應用產品。





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