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微芯新款低功耗記憶體擴展SuperFlash系列

上網時間: 2015年01月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SST26WF080B  SST26WF040B  SuperFlash  記憶體  SQI 

美國微芯科技(Microchip Technology Inc.)發佈 SST26WF080BSST26WF040B 新元件,擴展旗下1.8V四個串列式 I/O (SQI) SuperFlash 記憶體家族。新元件備有4Mb及8Mb的儲存容量,採用Microchip高性能 SuperFlash 技術製造,可提供最快的抹除時間和卓越的可靠性。

由於採用了SuperFlash技術, SST26WF080B / SST26WF040B 新元件的抹除速度比所有其它同類元件都要快。區段和區塊抹除命令在短短18毫秒內即可完成,而執行一個完整的晶片抹除動作也只需要35毫秒。同類元件需要5-15秒的時間才能完成一個完整的晶片抹除作業。

相較之下, SST26WF080B / SST26WF040B 的抹除速度要比同類型元件快近300倍。由於大幅地減少了測試和硬體更新所需的時間,新元件最快速的抹除性能可為客戶顯著節約成本並大幅提高產能。

新元件的 SQI 介面是一個104 MHz的高速四個串列式 I/O 介面,即使是低接腳數封裝也可實現高輸送的資料量。該介面備有低延遲就地執行(XIP)功能,使得程式可以直接在快閃記憶體內儲存和執行而無需在 RAM 元件上進行程式碼映射。與x16位址線並列式快閃記憶體元件相較較,SST26WF080B / SST26WF040B的資料存取速度更快,且沒有並列式快閃記憶體相關的高成本和高接腳數。此外,該 SQI 介面還提供完整的命令集,可向後相容支援傳統的串列式週邊介面(SPI)的協定。

SST26WF080B/040B專為低功耗設計,有助於大幅地延長可攜式供電應用中電池的壽命。新元件在待機模式下的典型電流消耗僅為10uA,而深度掉電模式下的典型電流消耗更進一步降低至1.8uA。在104MHz讀取動作時其典型電流為15 mA。1.8V低功耗作業與小尺寸封裝相結合,無疑令SST26WF080B/040B成為包括手機、藍牙耳機、GPS、攝影鏡頭模組、助聽器和其它電池供電設備在內的各種應用的最佳選擇。

SST26WF080B/040B擁有卓越的品質和可靠性,資料保存時間長達100年,且可抹/寫次數超過10萬次,耐用性極高。此外,其安全性也得到進一步增強,包括針對各獨立區塊的軟體防寫以便靈活保護資料/程式碼安全以及單次燒錄(OTP)的2 Kb安全ID區域。這些特性有助防止未經授權的存取以及其它惡意讀取、燒錄和抹除的意圖。同時,該元件還備有一個相容JEDEC標準的串列式快閃記憶體可顯示參數(SFDP)表,其中包含了有關SST26WF080B/040B功能和性能的識別資訊,因而達到簡化軟體設計目的。

SST26WF080B/040B元件現已開始提供樣片並投入量產,備有8接點6mm x 5mm WSON封裝、8接腳150mil SOIC封裝、8接點2mm x 3mm USON封裝以及8球Z-Scale XFBGA封裝。





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