TI NexFET N通道功率MOSFET實現最低電阻

此外，TI 針對低電壓電池供電型應用的新型 12-V FemtoFET CSD13383F4 在採用 0.6 公釐 x 1公釐的纖巧型封裝情況下實現了比同類競爭裝置低 84% 的極低電阻。

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率，同時在電腦伺服器和電信應用中確保安全的運作。例如25 V CSD16570Q5B 支援 0.59 mΩ的最大Rdson，而 30 V CSD17570Q5B 則實現了 0.69 mΩ的最大Rdson。

TI 的新型 CSD17573Q5B 和 CSD17577Q5A 可與針對 DC/DC 控制器應用的LM27403搭配使用，以構成一款完整的同步降壓型轉換器解決方案。 CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率 MOSFET 則可與諸如TPS24720等 TI 熱插拔控制器配套使用。

FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產品現可透過 TI 及其授權販售商批量採購。