功率技術/新能源
英飛凌全新IGBT為50Hz-20kHz切換頻率提供最低總功率耗損
關鍵字:IGBT L5 TRENCHSTOP 5 薄晶圓技術 導通損耗
英飛凌科技(Infineon Technologies)推出全新等級的低飽和電壓 VCE(sat) IGBT,專為 50Hz 至 20 kHz 的低切換頻率所設計,適用於不斷電系統(UPS)以及太陽光電與焊接系統中的變頻器等應用。全新的 L5 系列產品採用 TRENCHSTOP 5 薄晶圓技術,透過額外的載波最佳化,進而降低本身的導通損耗。
相較於上一代 TRENCHSTOP IGBT 產品,新推出的 L5 系列在 25℃ 時的典型 VCE(sat) 值為 1.05V,在 NPC 1 拓撲中,其效能最高可提升 0.1%,或在 NPC 2 拓撲中,效能最高可提升 0.3%,達到嶄新的效能境界。結合 VCE(sat) 的正溫度係數,同時還能維持高效率以及直接並聯的特性,成為低於 20kHz切換頻率 的 IGBT的業界標竿。
L5 系列產品所採用的 TRENCHSTOP 5 技術不僅具備無可匹敵的低導通損失特性,在 25℃ 時,其整體的切換損耗還可低至 1.6 mJ。基於上述原因,在低切換頻率應用中採用全新推出的低 VCE(sat) IGBT,不僅可提高效率、改善可靠性,還能縮減系統尺寸。
第一波推出的新 L5 IGBT 系列產品將採用業界標準TO-247 3 針腳封裝。另外,針對需要進一步提升效率的應用,英飛凌亦提供採用創新TO-247 4 針腳 Kelvin-Emitter 封裝的L5 產品。相較於標準 TO-247 3 針腳封裝,TO-247 4 針腳封裝可進一步降低 20% 的切換損耗,使 L5 結合 TO-247 4 針腳封裝具備最低導通與切換損耗特性。
全新低 VCE(sat) L5 系列產品可提供 30A 與 75A 電流類別,包括單一 IGBT 以及與英飛凌超快速 Rapid 1 及 Rapid 2 矽二極體共同封裝的相關產品。TO-247 4 針腳 Kelvin-Emitter 封裝可提供 75A 電流類別。
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