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ST碳化矽MOSFET系列擴大寬能隙技術優勢

上網時間: 2015年02月13日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SCT20N120  碳化矽  MOSFET  寬能隙技術  IGBT 

意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出新款 SCT20N120 碳化矽功率 MOSFET ,其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢,包括純電動汽車和混合動力汽車的轉換器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源以及智慧電網設備。

意法半導體是業界少數高可靠性、高效能碳化矽功率半導體的領導廠商之一,並始終致力於技術的研發與升級。這次推出的1200V SCT20N120 進一步擴大了碳化矽 MOSFET 系列產品,具有小於290mΩ的導通電組(RDS(ON))及高達200℃的最大工作接面溫度等諸多特性優勢;其高度穩定的關機能源(Eoff)與閘極電荷(Qg)可使開關性能在整個工作溫度範圍內表現始終如一。最終的低導通和切換損耗結合超低漏電流將有助於簡化熱管理設計,並最大幅度地提高可靠性。

除更低的電能耗損外,意法半導體的碳化矽 MOSFET 的開關頻率也同樣出色,較同等級的矽絕緣閘雙載子性電晶體(IGBT)高出三倍,這讓設計人員能夠使用更小的外部元件,進而縮減產品尺寸、重量以及材料成本。 SCT20N120 的耐高溫特性可大幅簡化電源模組、電動汽車等應用的冷卻/散熱系統(cooling-system)設計。

SCT20N120 採用意法半導體獨有的 HiP247 封裝,其更高的熱效率可使管線在最大工作溫度高達200℃時,依然能夠維持與 TO-247 產業標準功率封裝外型相容。

SCT20N120目前已開始量產。





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