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英飛凌發表能效增強模式及疊接組態矽基板GaN產品組合

上網時間: 2015年03月25日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:氮化鎵  GaN  SMPS  LED  SMD 

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣佈擴展其矽基板氮化鎵(GaN)技術及產品組合。目前英飛凌同時提供增強模式與疊接組態 GaN 平台,針對需要極佳能源效率的應用進行最佳化,包括用於伺服器、電信、行動電源及消費性產品如 D 級音訊系統的切換式電源供應器(SMPS)。 GaN 技術大幅縮減電源供應器的體積與重量,將為終端產品如超薄 LED 電視等帶來新的契機。

矽基板氮化鎵是廣受矚目的次世代化合物半導體技術之一,因為它可達到高功率密度與小體積(例如用於電源供應與轉換器),同時也是提升能源效率的重要關鍵元件。一般而言,採矽基板氮化鎵技術的功率裝置適用於廣泛的用途,從高電壓工業應用(如伺服器場的電源供應器(所展示的 600V 氮化鎵裝置的應用之一)),到低電壓應用(如高階消費性產品所需的 DC/DC 轉換器)。

相較於矽晶技術解決方案,矽基板氮化鎵技術以更小的尺寸提供更高的功率密度及更高的效率,因此適合廣泛的應用,例如電視機電源供應器、D 級音訊放大器,以及伺服器與電信設備中所使用的 SMPS。

英飛凌新推出的產品將包括專屬驅動器與控制器 IC,以充分運用 GaN 的優勢,應用於多種拓撲與更高的頻率。相關產品將透過收購國際整流器公司所獲得更廣泛的專利計畫、矽基板氮化鎵磊晶製程以及 100V-600V 技術而獲得進一步的強化。

英飛凌已為客戶提供完整的系統專業知識以及業界最完整的 GaN 技術與產品。另外,英飛凌具備業界最佳的製造能力、產能以及採用英飛凌 SMD 封裝的常關型 GaN 功率裝置第二供應來源。

另外,透過與 Panasonic 公司的策略合作,英飛凌與 Panasonic 將共同推出採用 Panasonic 常關型(增強模式)矽基板氮化鎵電晶體結構並整合至英飛凌表面安裝裝置(SMD)封裝的產品,提供高效率、易用的 600V GaN 功率裝置以及雙重供貨管道的附加優勢。

Panasonic 已提供英飛凌上述常關型氮化鎵電晶體結構的授權。此次合作將使雙方皆可製造高效能氮化鎵裝置。客戶亦將受益於取得封裝相容的氮化鎵功率開關的雙重供貨來源,這是目前其他矽基板氮化鎵裝置皆無法提供的優勢。





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