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NXP與GLOBALFOUNDRIES聯手開發40nm eNVM技術

上網時間: 2015年03月31日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:嵌入式非揮發性記憶體  eNVM  40nm  製程技術  300mm 

恩智浦半導體(NXP)與GLOBALFOUNDRIES宣佈聯手開發出下一代嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)技術,充分利用GLOBALFOUNDRIES 40nm製程技術平台製作300mm原型晶圓。

GLOBALFOUNDRIES是第一家晶圓代工開發和資格的40nm eNVM 低功耗製程技術。預計在2016年在其新加坡工廠量產。

這成功執行的聯合開發和生產技術的里程碑將實現客戶在高密度晶片 eNVM 產品上市縮短的時間,包括識別,近場通訊,醫療保健,和微控制器。 恩智浦將充分利用GLOBALFOUNDRIES領先的半導體製造能力,應用整體的40nm eNVM 技術,為最終客戶打造有競爭力的價值。

這次40nm eNVM 的成功合作讓恩智浦進一步強化在安全和近場通訊(NFC)市場的解決方案與地位,也使GLOBALFOUNDRIES推進其公司在40nm製程技術的領先地位。





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