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英飛凌高效率650V IGBT支援EV/HEV快速切換技術

上網時間: 2015年04月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IGBT  TRENCHSTOP 5  EV  HEV  MOSFET 

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣佈推出 650V IGBT 系列,為快速切換的汽車應用提供最佳效率。榮獲汽車電子協會認證(AEC-Q)的 TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT 可有效降低功率損耗,提升電動車(EV)與油電混合車(HEV)應用的可靠性,例如車用充電、功率因子校正(PFC)、DC-DC 與 DC/AC 之轉換等。

新款 IGBT 的阻斷電壓較舊款汽車級 IGBT 高出 50V,同時借助於英飛凌 TRENCHSTOP 5 薄晶圓技術優勢,造就出同級產品中的最高效率。相較業界目前的先進技術,英飛凌的技術將飽和電壓 (VCE(sat)) 降低 200mV,切換損耗減半,閘極電荷降低2.5 倍。比較其他技術,新款 IGBT 具備更佳的切換與導通耗損,支援更低的結溫與殼溫,進而提升產品的可靠度,降低冷卻需求。

採用 TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT ,電動車研發團隊得以延長行駛距離或採用體積較小的電池,享有效率提升的優勢。在油電混合車方面,可降低整體油耗,減少二氧化碳的排放量,實現效率提升。此外, TRENCHSTOP 5 AUTO 裝置的效能也能導入 MOSFET 的應用項目,提供設計人員更寬廣的半導體技術選擇。

TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT 目前的額定電流為 40A 或 50A,可作為單一獨立 IGBT 裝置,或與另一英飛凌超高速 Rapid 矽二極體共同封裝。無論何種規格,都有配備 H5 HighSpeed 或 F5 HighSpeed FAST 的版本可供選擇,端視設計標準以最佳化切換速度抑或最高的可能效率做為的優先考量。

就典型車用充電器所使用的 PFC 為例,以 TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT 替代現今的先進技術,結果顯示效率從 97.5% 上升至 97.9%。以 3.3kW 的充電器為例,相當於減少 13W 的功率耗損。假設一次充電的時間為五小時,則每次充電可有效減少 30g 的二氧化碳排放量。

650V TRENCHSTOP 5 AUTO IGBT 採用 TO-247 封裝,目前已開始提供工程樣品。





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