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功率技術/新能源  

安森美拓展中壓N型通道MOSFET產品陣容

上網時間: 2015年05月26日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFET  資訊網路  電信  工業應用  驅動損耗 

安森美半導體(ONSemiconductor)針對資訊網路電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列,進一步擴大其產品陣容。

這些元件能提供低傳導電阻RDS(on)值,從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss),以確保盡可能保持低驅動損耗。

安森美半導體新的NTMFS5C404NLT,NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V),最大傳導電阻值(Vgs為10V時)分別為0.74毫歐姆、0.9毫歐姆和2.8毫歐姆,連續漏電流分別為352安培(A)、315A和127A。

與這些元件相輔相成的NTMFS5C604NL,NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL,額定擊穿電壓60V,最高導通電阻分別為1.2毫歐姆、1.5毫歐姆和 4.7毫歐姆,而相關的連續漏電流為287A、235A 和93A。40V和60V的這兩種器件的額定工作接面溫度都高達175C,從而為工程師的設計提供更大的熱餘裕。安森美半導體將推出採用更多的電阻值和不同的封裝,如micro8FL、DPAK和TO220來擴大此產品線。





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