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英飛凌3D磁感測器適用消費性及工業應用

上網時間: 2015年05月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:磁感測器  MOSFET  IGBT  工業  消費性電子 

英飛凌(Infineon)推出 3D磁感測器TLV493D-A1B6,並於PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器(IR)整合後的功率產品組合。3D磁感測器採用小型6接腳TSOP封裝,不僅具備高度準確的三維感測功能,且耗電量低。本款感測器可於 x、y和z方向提供磁場偵測,可確實測量三維、線性和旋轉動作。而內建的數位 I2C 介面則能夠在感測器和微控制器之間進行快速雙向通訊。

磁感測器適用於需要三維測量、角度測量或低耗電量的消費性及工業應用,例如搖桿、白色家電及多功能旋鈕使用的控制元件,以及電表(其中3D磁感測器可避免裝置遭到竄改)。TLV493D-A1B6具備非接觸式位置感測功能以及磁閾值的高溫穩定性,可確保前述系統體積更為精巧、更準確及更耐用。

另一方面,英飛凌於歐洲 PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器整合後的功率產品組合,此外也展出氮化鎵(GaN)產品,以及許多源自英飛凌「從產品思維到系統洞察」策略的創新解決方案。英飛凌此次展出的重點產品包括:超接面(Superjunction)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)技術的持續精進,是滿足現今硬切換及軟切換功率轉換電路在效率、尺寸及成本需求的關鍵。其中CoolMOS C7 600 V技術讓效率大幅提升,不僅使功率密度顯著增加,也奠定朝向「類氮化鎵」低切換損耗發展的基礎。

為因應耐用性應用需求的持續提升,英飛凌高功率的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)模組可涵蓋從3.3~6.5kV 完整電壓範圍的IGBT晶片。其中高功率平台具備可擴充性,能夠大幅簡化系統設計和製造。此外,其封裝技術具備堅固的架構,提供產品的長期可靠性。

隨著電力電子裝置的功率密度提升,對功率模組及散熱片之間的熱介面造成更大挑戰。英飛凌熱介面材料TIM不僅提供低熱阻,也符合功率模組最高的品質標準,達到最長的使用壽命以及最高的系統可靠性。

另外,英飛凌透過創新的功率晶片冷卻方法,讓適用於油電混合及純電動車的全新功率模組在功率密度方面跨出重大進展,實現高效率的變頻器。





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