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英飛凌新CoolMOS 降低 50% 切換損耗

上網時間: 2015年05月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:MOSFE  GaN  PFC  TTF  關閉損耗 

英飛凌(Infineon)推出全新CoolMOS C7超接面(SJ)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列。相較於 CoolMOS CP 600 V系列能減少50%的關閉損耗,在PFC、TTF和其他硬切換拓樸中發揮媲美氮化鎵(GaN)級的性能。

CoolMOS C7率先達成每mm2僅1歐姆導通電阻(RDS(ON)*A)的產品,擴充英飛凌每封裝最低RDS(ON)產品組合,協助客戶進一步提升功率密度。全新CoolMOS系列具有超低切換損耗,適合高功率SMPS應用,如伺服器、電信、太陽能和工業等需求高效率、降低物料清單(BoM)和整體擁有成本(TCO)的應用。

CoolMOS C7由於能降低切換損耗,相當適合注重效率和TCO導向的應用,如超大型資料中心和電信基地台。PFC效率增幅可從0.3%提升至0.7%,LLC拓樸效率則增加0.1%,因此能大幅降低整體成本。以2.5kW伺服器PSU為例,使用C7 600 V MOSFET後可降低10%左右的 SU能源損耗成本。

在BoM和成本導向的設計中(如企業伺服器),CoolMOS C7 600 V裝置能降低磁性材料成本。C7因能有效減少閘電荷和輸出電容,使得切換頻率能增加一倍,損耗達到極低。因此,磁性元件的尺寸可以大幅縮小,進而降低整體BOM成本。例如,將切換頻率從65kHz增加至130kHz,最多可降低30%的磁性元件成本。

CoolMOS C7 600 V產品系列將於兩座12吋晶圓廠製造,以確保能安全供貨予客戶。產品系列提供多種RDS(ON)值和封裝,產品推出後也會提供創新選項的版本,如TO-247 4接腳封裝。第4支接腳可將全負載效率提升0.4%,減少因快速電流瞬變而造成的源極電感壓降。

英飛凌同時推出全新2EDN7524 EiceDRIVER IC,採用業界標準接腳設計,具有兩個獨立未隔離的低側閘極驅動器,各能提供5安培(A)電源和峰值電流。兩通道以5奈秒(ns)典型上升和下降時間運作,而1ns通道對通道延遲匹配可以實現同步切換配置,進而將總驅動電流提升一倍。輸出階段的高電流具有相當低的RDS(ON),即使未使用或使用小型外部閘極電阻,均能有效降低驅動器的功率消耗。驅動器IC在控制和Enable Input中能夠處理高達-10的VDC,確保系統對抗接地彈跳的耐用性和可靠性。





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