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蜂巢式基地台專用GaN RF功率電晶體

上網時間: 2015年06月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:GaN  RF功率電晶體  蜂巢式基地台  Freescale 

飛思卡爾(Freescale)推出了第一款蜂巢式基地台專用的氮化鎵(GaN) RF功率電晶體。新款的A2G22S160-01S為無線基礎設施應用的30瓦與40瓦放大器提供傑出的效能,它也預計是Airfast廣泛產品中第一種進入蜂巢設備市場專用的GaN電晶體。

在此之前,該公司剛推出了MMRF5014H──飛思卡爾第一款軍用兼工業應用的GaN RF功率電晶體,在100瓦等級的GaN電晶體的熱導和寬頻帶RF效能方面,仍然獨步群雄。

相較於矽晶,GaN提供更高的功率轉換效益、更快的切換速度、以及更大的功率密度,因此可以製作更小巧的功率電晶體,性能也比傳統元件高。這些都是靠GaN較寬的頻帶間隙、較高的臨界電場和極高的電子移動特性才能達成。

雖然移轉至GaN在以往因為成本關係難以達成,然而近年來商業與科技的進步,讓製造成本得以下降。長久以來飛思卡爾一直是半導體製造業龍頭,現在他們為若干全球最大的市場釋出了GaN的優勢,也在主流商用基地台市場上推出了大量生產的GaN功率放大器。

飛思卡爾的Airfast系列RF功率產品涵蓋所有的無線蜂巢頻譜,從600 MHz到3.8 GHz,並有多種半導體技術可供選擇。A2G22S160-01S在1800MHz到2200MHz的頻帶間提供最先進的效能。譬如說,40瓦的Doherty雙向非對稱放大器就在載波路徑上使用一組A2G22S160-01S、在峰值路徑上則使用兩組,最高輸出功率達56.2 dBm。

當output back-off (OBO)達到8分貝時,增益值為15.4 dB而效率為百分之56.7。以兩組帶有合計40 MHz載波頻寬的20MHz LTE載波驅動時,在數位預失真(DPD)下的相鄰頻道功率(ACP)為-55 dBc。





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