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ST推出新型S系列1200V IGBT

上網時間: 2015年06月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IGBT  工業馬達  太陽能發電  ST  二極體 

意法半導體(STMicroelectronics)推出S系列 1200V IGBT絕緣閘極雙極性電晶體。當開關頻率達到8kHz時,新系列的雙極元件擁有業界最低的導通及關斷耗損,大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。

新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓──VCE(sat),可確保更低的電壓降與最小的功率耗損,從而簡化熱管理系統。此外,正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布,不僅簡化了多個電晶體的平行設計,亦滿足更大功率應用需求。極低的電壓過衝及關機零振盪現象(zero oscillation),讓電源廠商能夠使用更簡易的外部電路及更少的外部元件。

10μs最小短路耐受時間 (達150°C初始接面溫度時) ,無鎖定(latch-up free operation)效應,擁有175°C最高接面溫度及寬廣的安全工作範圍。多項產品優勢實現了極強、穩健的耐用性與可靠性。

作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇,新款S系列採用第三代溝槽式場截止(trench-gate field-stop)型製程,使意法半導體1200V IGBT的M系列及H系列的市場佈局更加完整,M系列及H系列的產品定位分別在20kHz與20kHz以上的開關電源市場,而現在加入了新款S系列,這三大系列將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IGBT元件的最佳選擇。

最新發佈的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,採用標準針腳或TO-247加長針腳封裝。全系列產品均內建最新款的穩流二極體(freewheeling diode),其擁有快速恢復與高恢復軟度,確保IGBT具有超低電磁干擾,和導通耗損。





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