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富士通為1Mb序列FRAM開發超小型封裝

上網時間: 2015年07月10日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FRAM  鐵電隨機存取記憶體  MB85RS1MT  WL-CSP  EEPROM 

富士通半導體台灣分公司宣佈成功開發及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件,並採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%,而厚度也約其五分之一,實現將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。

WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件,除了可讓終端應用產品的整體積變小外,更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低,並提供更持久的電池續航力。

穿戴式市場是目前備受矚目的焦點,並以驚人的速度快速拓展。穿戴式市場涵蓋種類繁多,包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫療裝置如助聽器和脈搏計等,以及可記錄卡路里消耗量和運算資料的活動記錄器。而這些眾多裝置的共同點,皆為須持續的即時記錄資料。

一般的非揮發性記憶體技術,如EEPROM和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入100萬次,而富士通的FRAM技術則可將資料完整性大大提高到保證最少10兆次讀/寫次數,因此對於在儲存即時記錄資料特別理想。

為了更加利用FRAM的上述特性,富士通半導體如今為其MB85RS1MT產品線中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSP封裝。MB85RS1MT元件已採用業界標準的SOP封裝,然而採用WL-CSP封裝後,其體積僅3.09×2.28×0.33mm大小,而封裝面積只有SOP封裝的23%;換言之,即能比SOP封裝的面積減少77%。此外,其厚度僅0.33 mm,相當於信用卡厚度的一半,而封裝體積更比SOP封裝小了95%。

低功耗作業是FRAM眾多優點之一。相較於一般使用的EEPROM非揮發性記憶體,FRAM寫入資料的速度也比較快,因此可在寫入資料時大幅降低功耗。基於此原因,為了即時記錄而需經常性寫入資料的穿戴式裝置在採用此FRAM後,可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。

採用WL-CSP封裝的MB85RS1MT元件,對穿戴式裝置廠商而言則是提供更小、更薄和功能更豐富的產品,並大幅延長電力。





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