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宜特TEM材料分析技術突破10奈米

上網時間: 2015年07月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:材料  分析檢測  10奈米  TEM  EDS 

宜特科技(Integrated Service Technology;iST)宣佈其材料分析檢測技術突破10奈米製程,不僅可協助多家客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證,其技術能量更深獲IEEE半導體元件故障分析領域權威組織IPFA肯定,於會議期間發表最新研究成果。

宜特觀察發現,近年來,企業為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智慧產品需求,各大廠在先進製程開發的腳步越來越快,已從去年20奈米製程,邁入今年的14奈米製程;其中包括台積電、英特爾、三星等大廠,更預計陸續於明年進入10奈米以下的量產階段,帶動整個供應鏈的TEM分析需求。

宜特進一步指出,繼去年佈建EDS元素分析能力最強的TEM設備,聘僱多位TEM專家共同經過一整年的衝刺後,不僅產能大躍進,其檢測分析能量更從去年的14奈米,向下突破至10奈米製程,深獲多家客戶如LED磊晶廠、半導體設備廠與晶圓代工廠的肯定,檢測產能滿載,下半年持續擴產以因應客戶需求。

宜特科技材料分析工程部經理陳聲宇表示,宜特材料分析技術能量有目共睹,更獲得IPFA肯定,於本月舉行的會議中,發表「利用高準確性的TEM/EDS技術分析先進NAND flash產品」之論文。此成果可應用於先進半導體製程中介電層材料(dielectric layer)的分析之上。

陳聲宇進一步指出,先進製程的介電層材料,往往脆弱而易在分析過程中遭受損傷,分析難度相當高。宜特運用最高規格的TEM/EDS機台,並充分優化實驗參數,成功在介電層材料遭受損傷前,迅速完成訊號的收集,得到準確的元素分佈資訊,提供研發工程師改善製程時,最有力的依據。





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