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功率技術/新能源  

英飛凌推出整合IGBT與二極體功能的單晶片

上網時間: 2015年07月22日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:功率模組  IGBT  飛輪二極體  RCDC  HVDC 

英飛凌科技(Infneon TEchnologies)推出6.5kV功率模組,在單一晶片上整合IGBT與飛輪二極體功能。新款RCDC (具備二極體控制功能的逆導IGBT) 晶片,適合用於現代化高速火車與高效能牽引式機械、未來的HVDC電力傳輸系統,以及石油、天然氣與採礦等產業所使用的中電壓馬達。

相較於之前相同尺寸的模組,RCDC技術將電流密度提高33%,並改善了散熱效能,因此達成更長的生命週期、更高的可靠性,進而將所需的維護減到最少。

運用RCDC技術,英飛凌擴充其高效能IGBT的6.5kV KE3產品組合。在正向與反向電流方向皆建置功率更高的矽區塊,提高了電流密度,這讓設計人員能夠增加系統輸出功率,而不需擴大面積。功率密度提高的效益,也可用來維持功率,同時減少 IGBT 的數目,進而縮減系統尺寸、重量與成本。

英飛凌RCDC解決方案提供IHV-A高絕緣封裝,採用業界標準尺寸,可直接替代現有的應用。除了達成更高的功率密度外,將IGBT與二極體整合於單一晶片,也可大幅提高二極體I2t 值,以及IGBT與二極體的熱阻抗(Rth/Zth),後者確保整個運作過程中理想的散熱效能。更低的晶片溫度(Tvj)漣波,可延長運作壽命;使用閘極控制的選項,也可讓設計人員權衡取捨導通與切換損耗,以達成最高整體效率。

RCDC模組現已開始提供工程設計樣品,搭配包含驅動器評估板的入門套件,預計於2015年第4季推出。為簡化與加快產品建置,英飛凌提供各種設計支援選項,包括應用手冊與控制概念。





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