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ST 650V IGBT大幅提升20kHz功率轉換能效

上網時間: 2015年07月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:IGBT  電源設計  穩流二極體  功率轉換  EMI 

意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案,適用於暖通空調系統(HVAC)馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用。

採用意法半導體的第三代溝槽式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗製程,M系列IGBT擁有一個全新溝槽/通道閘(trench gate)和特殊設計的P-N-P垂直結構,能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點,從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在150°C初始接面溫度時,最小短路耐受時間為6?s,175°C最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命,同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。

此外, 新產品封裝亦整合了新一代穩流二極體(Free-wheeling Diode)。新款二極體提供快速恢復功能,並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計不僅可實現優異的EMI保護功能,還能有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分佈,使新產品能夠安全平行,並滿足更大功率的要求。

M系列產品的主要特性:

•650V IGBT,大部分的競爭產品都是600V;

•低VCE(sat)(1.55V@25°C)電壓,能夠最大幅度地降低導通損耗;

•出色的穩健性,擁有廣泛的寬安全工作範圍以及無鎖定效應;

•業界最佳的Etot-Vce(sat)平衡比;

•175°C最大工作接面溫度;

•高溫下的短路耐受時間最短6us;

•電壓過衝非常有限,確保關機期間零振盪。

最新發佈的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流,提供各種功率封裝選擇,包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長針腳封裝,與意法半導體針對高頻工業應用所研發的HB系列650V IGBT(高達60kHz)相互補足。新產品已開始量產。





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