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ST雙極電晶體奠基行動網路基礎設施

上網時間: 2015年08月07日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:行動網路  Backhaul  異質網路  RAN  HBT 

意法半導體(STMicroelectronics)的BiCMOS55 SiGe先進技術獲歐洲E3NETWORK研發專案採用,用於開發適合下一代行動網路的高效率、高容量數據傳輸系統。

為因應行動數據使用量的迅速成長,網路系統必須支援更大的容量及更高的數據傳輸速率。而如何加快行動網路向先進網路架構轉型的速度,對回程線路(Backhaul)基礎設施是一個新的挑戰,例如異質網路(Heterogeneous Network)與雲端無線存取網路(Radio Access Network,RAN),其中更高頻段(例如E-band )可提供更廣泛的頻譜,以支援更快的數據傳輸通道。

建設這些超高效率的行動網路,設備廠商必須要擁有高性能且低功耗、低成本的大規模整合電路電子元件。E3NETWORK研發專案利用意法半導體的高整合度、低功耗BiCMOS55Si製程,開發出55奈米微影的Ft高達320GHz的異質接面雙極電晶體(Heterojunction Bipolar Transistors,HBT)。這項製程允許在一顆晶片上整合高頻類比模組及高性能、高容量的數位模組,例如邏輯電路、AD/DA轉換器和記憶體。

E3NETWORK專案採用意法半導體的BiCMOS55製程,目前正在研發一個整合化的E-band收發器,將用於去程線路(Fronthaul)及回程線路網路基礎設施,以實現數位多層調變,及高度聚焦的筆形束(Pencil-beam)傳輸,數據速率可高達10Gbit/s。筆形束的特性有助於提高回程線路及去程線路網路頻率再使用率,同時在毫米波段(Millimeter-wave)間隔期間確保頻譜效率(Spectrum efficiency)不受影響。

作為歐盟第7框架計劃中的一項專案,E3NETWORK (Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks)匯集了眾多企業,其中包括CEIT(西班牙)、Fraunhofer(德國)、阿爾卡特朗訊(義大利)、CEA(法國)、INXYS(西班牙)、OTE(希臘)、SiR(德國)、Sivers IMA(瑞典),以及意法半導體(義大利)。





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