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力旺電子推出Combo及Hybrid矽智財方案

上網時間: 2015年08月11日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:OTP  MTP  EEPROM  eFlash  矽智財 

力旺電子(eMemory)宣佈,有別於多數供應商僅能單獨提供單次可程式(One-Time Programmable,OTP)或多次可程式(Multiple-Times Programmable,MTP)矽智財,力旺電子不僅擁有完整邏輯(Logic)製程之OTP與MTP矽智財,更進一步推出Combo與Hybrid兩種新型態解決方案,以提供客戶多元之選擇。

Combo解決方案為個別獨立之OTP與MTP矽智財的結合使用,Hybrid矽智財則是將OTP與MTP整合為單一矽智財的解決方案。客戶可依其應用需求,從力旺電子Floating-Gate系列產品線中自由選擇搭配OTP與MTP矽智財,有效取代外掛式電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)或嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash,eFlash),使元件體積精簡、讀寫速度大幅提升,最高可節省50%之生產成本,是穿戴式裝置、行動通訊、物聯網等應用晶片客戶的最佳選擇。

消費性電子廣泛使用的晶片如微控制器(Microcontroller,MCU),都需使用OTP或MTP記憶體,以滿足儲存運算指令、參數設定及存取程式等需求。因應不同產品應用,功能簡易者可選擇OTP以降低晶片成本,而功能較複雜的MCU,則需搭配MTP使用。然受限於市場上傳統記憶體解決方案,IC設計公司被迫使用成本較高、過高規格(Over Quality)的外掛式EEPROM或昂貴的eFlash製程,進而大幅影響其產品競爭力。

瞄準此市場需求,力旺電子推出高競爭優勢之Combo與Hybrid解決方案。客戶可以依其晶片特性與需求,從力旺電子的OTP與MTP產品中自由選擇並組合成多元Combo矽智財,不僅可將記憶體組合彈性極大化,亦能在成本上達到最大競爭力。以內嵌Combo矽智財取代8 Bits MCU中昂貴的外掛24C02 EEPROM,能大幅降低50%的生產成本,搭配力旺優異的設計,同時減少耗電量,有效延長待機時間。晶片效能上,不僅能將讀寫速度分別提升100倍與16倍,更能克服外掛式晶片資料容易遭到竊取的缺點,強化資料保密功能。

Hybrid解決方案是將NeoBit與NeoMTP矽智財整合為單一矽智財,透過分享OTP與MTP相同功能的週邊線路,不僅能大幅縮小矽智財元件體積,亦可防止不同來源矽智財間訊號傳遞障礙造成的雜訊以及能耗,優化性能。客戶能依其應用需求客製化Hybrid矽智財中OTP與MTP矽智財的比例,達成矽智財體積最佳化,大幅節省測試時間,提升產品競爭力。除此之外,Hybrid解決方案更能協助MCU晶片由昂貴的eFlash製程改為邏輯製程,或進一步選用僅需14道光罩的綠(Green)製程,有效節省生產成本。

力旺電子Combo與Hybrid矽智財擁有與邏輯製程完全相容之優勢,不需額外增加光罩,能快速導入力旺電子廣泛佈局於全球8吋晶圓廠0.11微米至0.25微米之邏輯製程,以及邏輯製程衍生之混合訊號(Mix-Mode)、BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)、高壓(High-Voltage,HV)與綠製程平台,提高客戶量產靈活度並加速產品開發時間機,滿足其成本、尺寸、安全及效能的多元需求,適合MCU、射頻晶片(Radio Frequency ICs,RFIC)、系統單晶片(SoC)、電源管理晶片(Power Management ICs,PMIC)、指紋辨識晶片(Fingerprint Sensor)、觸控顯示驅動晶片(Touch Panel Controller),以及將顯示、觸控功能二合一之整合型觸控顯示驅動晶片(Touch with Display Driver ICs,TDDI)等應用。





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