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功率技術/新能源  

ST先進60V功率MOSFET提高同步整流電路能效

上網時間: 2015年09月18日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:溝槽式低壓  MOSFET  STripFET F7  微逆變器  電源轉換器 

意法半導體(STMicroelectronics,ST)的溝槽式低壓MOSFET STripFET F7系列將擴增60V的產品線,可協助電信、伺服器和桌上型電腦的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的DC/DC電源轉換器達到嚴苛的能效標準、最大幅度地提升電源功率密度。

STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了導通能效與開關性能,還簡化了通道間的溝槽式結構(trench-gate structure),實現極低的導通電阻、電容及閘極電荷,並取得優異的品質因數(RDS(ON) x Qg)。此外,本質二極體的恢復電荷(recovery charge)非常低,有助於提升開關性能。高抗雪崩特性及耐用性確保了在惡劣條件下的穩健性能,反向傳輸電容對輸入電容(Crss/Ciss)的比值低,有助於強化抗電磁干擾(EMI immunity)。

意法半導體的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流(synchronous rectification)電路所訂製,能以更少的平行元件達成最大目標電流,藉此提高功率密度、降低元件使用數量。該系列共有12款產品,涵蓋了所有工業標準電源,最大輸出電流從90A到260A (在Tc = 25°C下,矽限制連續汲極電流)。

新產品提供多個封裝選擇,包括PowerFLAT 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、2針腳或6針腳H2PAK。

所有產品均已量產(包括採用PowerFLAT 5x6 封裝的90A STL90N6F7)。





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