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功率技術/新能源  

英飛凌氮化鎵裝置為5G蜂巢式基礎設施鋪路

上網時間: 2015年10月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:氮化鎵  行動基地台  5G  碳化矽  射頻 

英飛凌(Infineon)推出碳化矽(SiC)射頻(RF)功率電晶體的首款氮化鎵(GaN)系列產品。憑藉英飛凌的氮化鎵技術,該款新產品可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大,且具彈性的發射器。

相較於既有的射頻功率電晶體,新產品擁有更高的效率、更佳的功率密度與更大的頻寬,提升了建設基礎設備的經濟效益,有效支援現今的蜂巢式網路。此外,由於具備更高的資料傳輸量,因此強化了使用者經驗,為 5G 技術的轉型鋪路。

新射頻功率電晶體運用氮化鎵技術的效能,比現今常見的LDMOS電晶體效率提升百分之十,功率密度更達五倍。這意味著,今日所使用基地台發射器(操作頻率範圍在1.8~2.2GHz或2.3~2.7GHz)的功率放大器(PA)在同樣的功率需求下只需更小的體積。

未來碳化矽基板氮化鎵(GaN on SiC)產品亦將支援頻率範圍高達6GHz的5G行動頻帶。這樣的發展藍圖確保英飛凌能立足於長久的專業知識和最先進的生產技術,穩健發展其射頻電晶體技術。

卓越的設計彈性加上支援4G次世代技術,是GaN裝置帶給射頻電晶體應用的另一項額外優勢。新產品擁有LDMOS兩倍的射頻頻寬,因此一台功率放大器就能支援多重操作頻率。同時,它們也提供發射器更大的瞬間頻寬,允許載體使用4.5G蜂巢式網路指定適用的資料聚合技術而提高傳輸量。





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