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Micron新型記憶體要取代串/並列NOR

上網時間: 2015年11月04日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:NOR快閃記憶體  美光  速度  XTRMFlash  Micron 

是時候該跟平凡無奇的NOR快閃記憶體說再見了?美光科技(Micron)最近發表最新XTRMFlash系列產品,號稱速度可達到3.2Gb/s,而且與目前市面上的串列式NOR快閃記憶體接腳相容。

美光嵌入式業務部門NOR快閃記憶體產品總監Richard De Caro表示:「並列式快閃記憶體的時代已經結束了,美光新推出的XTRMFlash將可在接下來取代目前市面上的並列式與串列式記憶體──也許除了一些低密度應用。」美光將為新產品推出容量從128Mb~2Gb的產品,目前第一波512Mb的產品已可提供樣品。

美光已經取得了包括飛思卡爾半導體(Freescale)在內數家大型晶片供應商的背書;XTRMFlash新產品的問世也正與研究機構Databeans最新預測相符──該機構預期,車用半導體營收規模將由今年的285億美元擴展至2020年的400億美元,其中有大部分應用是取決於NOR快閃記憶體,包括GPS、衛星無線電、車輛對車輛通訊以及車用資通訊娛樂系統。

根據De Caro的說法,XTRMFlash的性能超越並列式、串列式以及Quad-SPI等類NOR快閃記憶體,其接腳數比目前的並列式NOR快閃記憶體減少75%;此外該技術的隨機存取時間最快83奈秒(nanoseconds)、循序位元組讀取(sequential byte read)最快2.5奈秒,傳輸速度400MB/s (高於並列與串列快閃記憶體)。

XTRMFlash也能與目前串列式快閃記憶體採用的Quad SPI接腳相容,只需小幅改變電路板設計就能達到上述的性能規格。美光表示最近已經在一些熱門的汽車、工業與消費性領域「永不關機」應用,測試其XTRMFlash記憶體,能為人機介面、圖形式使用者介面(GUI)、儀器儀表、車用資通訊系統與先進駕駛人輔助系統(ADAS)帶來及時性的成功。

編譯:Judith Cheng

(參考原文: Micron Extreme NOR Flashes All,by R. Colin Johnson)





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