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瑞薩電子推出16 Mb與32 Mb進階低功率SRAM

上網時間: 2015年11月05日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:SRAM  工廠自動化  FA  智慧電網  RMLV1616A 

瑞薩電子(Renesas)宣佈推出兩款全新系列的進階低功率SRAM (Advanced LP SRAM),為目前最主要的低功耗SRAM類型,其設計可提供更高的可靠性及更長的備份電池使用壽命,適用於工廠自動化(FA)、工業設備及智慧電網等應用。

新款RMLV1616A系列16 Mb裝置採用110奈米(nm)製程,RMWV3216A系列32 Mb裝置採用創新的記憶體單元技術,可大幅提升可靠性並有助於提供更長的電池運作時間。

近年來對於高安全與可靠使用者系統的需求,帶動高可靠SRAM需求的成長,這些SRAM用於儲存重要資訊,例如系統程式與金融交易資料。預防α輻射與宇宙中子輻射造成軟體錯誤是一項重大的議題。處理此問題的典型措施包括在SRAM或使用者系統中內嵌錯誤修正碼(ECC)電路,以修正所發生的任何軟體錯誤。但是,ECC電路的錯誤修正功能有其限制。例如,有些電路無法修正同時發生且影響多個位元的錯誤。

瑞薩的進階低功率SRAM裝置的記憶體單元具備獨家技術,其軟體錯誤耐受性為傳統全CMOS記憶體單元的500倍以上。因此非常適合用於需要高可靠性的領域,包括FA、測量裝置、智慧電網相關裝置及工業設備,以及其他許多領域,例如消費性裝置、辦公室設備及通訊裝置。

新款RMLV1616A系列與RMWV3216A系列的主要功能:

(1)進階低功率SRAM技術大幅提高軟體錯誤耐受性與可靠性

在瑞薩的進階低功率SRAM架構中,記憶體單元的每個記憶體節點皆加入堆疊電容器。此組態可抑制軟體錯誤的產生,使其達到有效的零軟體錯誤的水準。另外,每個SRAM單元的負載電晶體(P通道)皆為多晶矽薄膜電晶體(TFT),並堆疊於矽上形成的N通道MOS電晶體之上。只有N通道MOS電晶體能在下方的矽基板上形成。這表示記憶體區域中不會形成任何寄生閘流體,而且理論上將不可能產生閂鎖。因此,進階低功率SRAM非常適合需要高可靠性的應用,例如FA、測量裝置、智慧電網相關裝置、交通系統及工業設備。

(2)待機電流降低至舊有產品的二分之一以下,延長備份電池使用壽命

新款RMLV1616A系列與RMWV3216A系列的16 Mb裝置待機電流僅0.5微安培(μA) (典型值),32 Mb裝置則為1 μA (典型值)。上述低耗電流等級為瑞薩舊有同級SRAM產品的二分之一以下(註10),因此可延長備份電池的使用壽命。保存資料時的最低電源電壓為1.5 V,低於瑞薩舊有同級產品的2.0 V,如此將有助於客戶設計以電池電力保存資料的系統。

(3)封裝類型

16 Mb RMLV1616A系列提供三種封裝:48-ball FBGA、48-pin TSOP (I)及52-pin μTSOP (II),可供客戶選擇最適合其應用的封裝。32 Mb RMWV3216A系列則提供48-ball FBGA封裝。

RMLV1616A系列與RMWV3216A系列的樣品自2015年9月開始提供,價格依容量而異。兩個系列皆於2015年10月開始量產。





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