功率技術/新能源
瑞薩電子IGBT提升空調的電源效率
關鍵字:IGBT 功率因素校正 低飽和電壓 電磁干擾 開關噪音
瑞薩電子(Renesas Electronics)推出新款RJP65T54DPM-E0,它是適用於空調功率因數校正(PFC)電路的功率半導體裝置,並採用中低階空調廣為使用的部分開關。
現代的空調必須符合高效率及開關噪音抑制標準。RJP65T54DPM-E0為瑞薩第7代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)的擴充,以領先業界的1.35 V低飽和電壓(Vce(sat))與低開關噪音實現電源效率。
RJP65T54DPM-E0的主要功能包括:RJP65T54DPM-E0以瑞薩第7代IGBT技術為基礎,並運用該公司的薄型晶圓技術。RJP65T54DPM-E0已針對空調PFC電路進行最佳化,具備領先業界的1.35 V Vce (sat),可為PFC電路帶來最低的傳導損耗。RJP65T54DPM-E0具有最小的開關噪音,可減少電磁干擾(EMI)並簡化EMI過濾。
另外,新產品採用隔離型全模製封裝,裝置與散熱片之間無需使用絕緣片。RJP65T54DPM-E0額定最高達Tj=175°C,可提高操作溫度範圍。除了新款IGBT裝置之外,瑞薩目前有三款運用第7代技術進行生產的IGBT裝置,皆適用於完全開關的PFC電路(RJP65T43DPM-00、RJH65T46DPQ-A0及RJH65T47DPQ-A0)。
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