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中芯與円星共推儲存控制器應用平台

上網時間: 2015年12月17日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:儲存控制器  高速介面  SSD  UFS  USB 

中芯國際積體電路製造(以下簡稱中芯國際,SMIC)與円星科技宣佈,中芯國際將採用円星科技差異化高速介面IP,針對固態硬碟(SSD)、通用快閃記憶體(UFS)與USB快閃記憶體盤,推出多樣化的儲存控制器應用IP解決方案。基於中芯國際從110n~28nm的邏輯製程技術,此儲存控制器應用平臺可協助客戶實現低功耗、高性能和小晶片面積的產品設計,同時推動中芯國際的製程平台實現更多差異化的應用。

針對固態硬碟市場,中芯國際40nm低漏電製程採用円星科技所開發的新一代PCIe 3.0實體層IP,此IP已與多家廠商的控制器搭配測試並符合PCI-SIG的規範,針對不同頻寬需求,提供1 lane、2 lane以及4 lane的選擇,協助客戶立即於晶片中實現支援PCIe3.0的固態硬碟 。此外,中芯國際預計將在28nm先進製程採用PCIe 3.0實體層IP,提供客戶更快速度、更省功耗的解決方案。

由於通用快閃記憶體2.0(Universal Flash Storage,UFS 2.0)將成為新一代內嵌式記憶體的主流規格,中芯國際55nm LL製程採用円星科技開發的MIPI M-PHY實體層IP,具備高頻寬能力與低功耗特性,已與多家廠商的控制器搭配測試並通過UFS 2.0的系統驗證。另中芯國際預計將在28nm HK製程與40nm LL製程採用円星科技的MIPI M-PHY實體層IP,除了可支援雙通道技術之外,更支援極端省電的休眠模式,尤其適合新一代的行動裝置使用。

在USB快閃記憶體控制器產品應用上,円星科技自行開發的BCK (Built-in-Clock;內建頻率)技術,為行動裝置晶片提供無石英震盪器(Crystal-less)的解決方案,已在中芯國際55nm和110nm製程協助客戶導入量產。新一代的BCK技術除了支援傳統USB 1.1/2.0/3.0裝置端之外,也支援32.768KHz的頻率輸入,除了能擴大BCK技術至USB主機端的應用之外,其低功率消耗的特性,也滿足了物聯網應用的需求。

隨著 Type-C介面的普及,円星科技正在中芯國際28nm及40nm製程上開發USB3.1/USB3.0 PHY IP,將原本需要外接的高速交換器(High-speed switch),內建於PHY IP之中來支持無方向性的插拔,同時也支持不同VBUS組態的偵測,已成功導入客戶的產品設計。





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