中芯與円星共推儲存控制器應用平台

針對固態硬碟市場，中芯國際40nm低漏電製程採用円星科技所開發的新一代PCIe 3.0實體層IP，此IP已與多家廠商的控制器搭配測試並符合PCI-SIG的規範，針對不同頻寬需求，提供1 lane、2 lane以及4 lane的選擇，協助客戶立即於晶片中實現支援PCIe3.0的固態硬碟 。此外，中芯國際預計將在28nm先進製程採用PCIe 3.0實體層IP，提供客戶更快速度、更省功耗的解決方案。

由於通用快閃記憶體2.0(Universal Flash Storage，UFS 2.0)將成為新一代內嵌式記憶體的主流規格，中芯國際55nm LL製程採用円星科技開發的MIPI M-PHY實體層IP，具備高頻寬能力與低功耗特性，已與多家廠商的控制器搭配測試並通過UFS 2.0的系統驗證。另中芯國際預計將在28nm HK製程與40nm LL製程採用円星科技的MIPI M-PHY實體層IP，除了可支援雙通道技術之外，更支援極端省電的休眠模式，尤其適合新一代的行動裝置使用。

在USB快閃記憶體控制器產品應用上，円星科技自行開發的BCK (Built-in-Clock；內建頻率)技術，為行動裝置晶片提供無石英震盪器(Crystal-less)的解決方案，已在中芯國際55nm和110nm製程協助客戶導入量產。新一代的BCK技術除了支援傳統USB 1.1/2.0/3.0裝置端之外，也支援32.768KHz的頻率輸入，除了能擴大BCK技術至USB主機端的應用之外，其低功率消耗的特性，也滿足了物聯網應用的需求。

隨著 Type-C介面的普及，円星科技正在中芯國際28nm及40nm製程上開發USB3.1/USB3.0 PHY IP，將原本需要外接的高速交換器(High-speed switch)，內建於PHY IP之中來支持無方向性的插拔，同時也支持不同VBUS組態的偵測，已成功導入客戶的產品設計。