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功率技術/新能源  

ST新款功率MOSFET實現更環保的汽車電源

上網時間: 2015年12月28日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:功率MOSFET  二極體  MDmesh DM2  超接面製程 

意法半導體(STMicroelectronics,ST)針對汽車市場推出新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證,採用意法半導體最先進、內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程,崩潰電壓範圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。

400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首獲AEC-Q101認證的功率MOSFET,而600V和650V產品性能則高於現有競品。全系列產品專為汽車應用所設計,內部整合高速本體二極體(fast body diode)、恢復軟度係數更高的換向行為(commutation behaviour)和背對背閘極源極齊納(gate-source zener)二極體保護功能,是全橋零電壓開關拓撲的理想選擇。

意法半導體的新功率MOSFET是汽車市場上Trr(反向恢復時間)╱Qrr(反向恢復電荷)比和恢復軟度系數表現最好的功率MOSFET,同時也擁有最出色的高電流關機能源(Eoff),有助於提升汽車電源能效。此外,內部高速本體二極體的性能表現亦十分出色,有助於降低EMI電磁干擾,讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波元件。MDmesh DM2技術透過這種方式讓電源設計變得更環保、能耗更低,從而使能效最大化、終端產品的尺寸最小化。

意法半導體的新款車用功率MOSFET擁有以下主要特性:

•快速恢復本體二極體

•極低的閘極電荷及輸入電容,500V D2PAK產品的閘極電荷及輸入電容分別為44nC和 1850pF

•低導通電阻

•最短的Trr(反向恢復時間):600V TO-247在28A時是120ns;650V TO-247在48A時是135ns

•閘極源極齊納二極體保護





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