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三星28nm FDSOI製程晶片投產

上網時間: 2015年12月29日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:FDSOI  28nm  全耗盡型絕緣體上覆  22nm  IoT 

根據法國Soitec SA旗下《Advanced Substrate News》期刊報導,三星(Samsung)正為意法半導體(STMicroelectronics;ST)投產28nm全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)晶片,而且還有其他客戶也正排隊等候中。ST是該技術的開發公司。

該報導中還訪問了三星代工業務資深行銷總監Kelvin Low以及三星半導體(歐洲公司) System LSI業務總監Axel Foscher。而法國Soitec SA則提供了量產FDSOI所用的SOI晶圓。


全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)

Low表示,三星已經在2015年間展開幾項多專案晶圓(MPW)服務了,預計在2016年還將推出更多計劃,此外,三星還打造IP核心的實體設計套件(PDK)與平台,現在也已經可用了。

除了ST與飛思卡爾(Freescale)以外,Low並未透露哪些FDSOI客戶,但表示將有更多經營「所有細分市場的客戶,尤其是物聯網(IoT)等成本與超低功耗組合至關重要的領域。」Low並預計,FDSOI晶片將出現在2016年的消費性電子產品中,而如果想滲透至通訊基礎設施、連網與汽車電子等領域的話,預計還有更長的路要走,因為這些領域存在更嚴苛的性能要求。

他並表示,「每個人都在等待Chipworks或TechInsights拆解採用FDSOI的終端產品。但這只是時間的問題罷了。」

同時,格羅方德(Globalfoundries)正研發基於22nm最小幾何設計規則的製程,可實現低至0.4V的低功耗,較三星的製程領先約一年的時間。

編譯:Susan Hong

(參考原文:Samsung Running 28nm FDSOI Chip Process,by Peter Clarke)





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