Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 射頻/無線
 
 
射頻/無線  

基於IC設計技術的ESD/EOS將成為保護電子電路要角

上網時間: 2016年01月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:ESD  EOS  電路保護  TVS  瞬態電壓抑制二極體 

作者:姜信欽,晶焱科技總經理

隨著電子產品迅速走向隨身使用化、功能強大化與低功耗化,半導體技術的持續微縮就沒有停止的可能性。然而,這樣的演變趨勢造就了電子產品‘使用可靠性的設計工作’重要性和電子產品‘功能的設計工作’本身一樣重要。

這是因為外在的暫態雜訊干擾能量變得很容易進入電子產品內部,加上電子產品內部的晶片零組件因半導體微縮而變得十分孱弱,從而導致電子產品本身的正常運作就變得易於受到干擾與破壞。

晶焱科技總經理姜信欽
晶焱科技總經理姜信欽

而在電子產品‘使用可靠性的設計工作’中,防止靜電放電(ESD)與過電壓(EOS)轟擊所造成的影響與破壞則是設計重心,因為這兩項暫態雜訊已經成為現今電子產品的主要殺手了。

因此,我們可以預見的是,2016年的電子產品仰賴ESD/EOS保護元件提供有效保護功能的依賴程度將會比2015年更深。另一方面,對於ESD/EOS保護元件的選擇也會完全採用與IC一樣的矽製程所設計製作的元件,如瞬態電壓抑制二極體陣列(TVS array),因為這樣才能提供與系統功能晶片一樣電性屬性的保護規格。

換言之,以IC設計技術所開發的ESD/EOS保護元件將是2016年的保護IC主角。舉例而言,一個工作電壓是1.5V的系統,如果不選擇以IC設計技術所設計出的ESD/EOS保護元件,則選擇的其他保護元件如果不是由於箝制電壓太高而無保護效果——如壓敏電阻(Varistor),就是箝制電壓夠低但漏電太高而影響系統正常工作——如齊納二極體(Zener diode)。

而利用IC設計技術開發ESD/EOS保護元件的好處,就是其電性設計存在很大的設計空間,無論是元件的導通電壓從1V到200V、元件的箝制電壓適用於0.9V到100V工作電壓的系統以及元件的寄生電容從0.1pF到100pF等都可以設計出來,完全不受材料本身的特性所限制,這樣才能為系統設計者提供一個有效工具來完成其產品的‘使用可靠度的設計工作’。

在下一個殺手級應用出現以前,預計即將出現在2016年電子產品市場且吸引消費者關注的重點將包括產品的‘使用可靠度’這一項,促使系統設計與製造者更加強化其產品的‘使用可靠度設計’,並進一步促使ESD/EOS保護元件得更加普及化。





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 基於IC設計技術的ESD/EOS將成為保護電...
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首