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功率技術/新能源  

Fairchild協助Growatt太陽能逆變器提高功率密度

上網時間: 2016年01月08日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:場截止溝槽式  IGBT  太陽能  逆變器  5K-HF 

Fairchild宣佈其650V場截止溝槽式IGBT應用於古瑞瓦特(Growatt)新能源公司最新一代太陽能逆變器中,該公司是家用與商用太陽能應用逆變器的製造商。由於使用了Fairchild的IGBT,古瑞瓦特將其新型5K-HF太陽能逆變器的功率密度,與之前型號相比提升了20%。

古瑞瓦特副總裁兼研發總監吳良材表示,該公司新一代太陽能逆變器率先採用Fairchild TO247 4L封裝IGBT,運用IGBT晶圓及4L封裝製程新技術,透過大幅提高驅動訊號的開關頻率充分利用IGBT的特性,從而獲得卓越的安全工作區,同時不會顯著增加半導體的功耗。 此外,還可以使用較小的磁性元件,從而顯著減小系統尺寸並提高性價比。

Fairchild 高功率工業應用事業部副總裁 Jin Zhao 表示,古瑞瓦特在其超高效率的下一代太陽能逆變器中採用的650V場截止溝槽式IGBT,採用Fairchild創新型場截止技術,為要求較低傳導及開關損耗的太陽能逆變器、UPS、焊接機、電信設備、ESS及PFC應用提供最優效能。

古瑞瓦特執行總裁(CEO)丁永強表示︰「提高逆變器的效率及功率密度是古瑞瓦特研發人員長久以來的目標。半導體技術的進步顯著減少了我們的逆變器所需的金屬部件的比例,這會導致多種好處,包括較小的產品尺寸、較小的重量、更低的成本,及更輕鬆的傳輸與儲存。」





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