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東芝擴充新一代N通道MOSFET系列

上網時間: 2016年01月15日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:N通道  MOSFET  U-MOS  導通電阻  VGS 

東芝半導體與儲存產品公司研發推出新一代N通道MOSFET 30V及60V系列,皆以U-MOS IX-H溝槽式半導體製程為基礎設計,此設計已被使用於降低導通電阻,在各種不同載量下帶來最佳效率;同時也可降低輸出電容。適用於通信設備、伺服器和Data center及網通產品的電源供應器;最新的製程技術,將有助於提高電源的效率。

以U-MOS IX-H溝槽式製程為基礎,進而發展雙面散熱各式規格的高效能小型化封裝,東芝歐洲分部已開始對原使用低壓MOSFET 40V的客戶推廣30V與60V的新封裝產品。在DSOP封裝的散熱效率上有顯著改善;目前雙面散熱全系列皆可在台灣區提供樣品測試。

  

東芝新一代功率MOSFET產品幫助設計者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間,包含直流-直流轉換器的high side 及low side開關,以及交流-直流設計中的二次側同步整流。此技術也適合馬達控制及鋰電池電子設備中的保護模組。

  

在VGS為10V時,30V MOSFET的最大導通電阻僅0.6mΩ,Coss的標準值是2160pF。60V產品提供的導通電阻及Coss的標準值:1.3mΩ及960pF。這可確保加強在既定應用上優化性能的靈活性。

  

此二款MOSFET U-MOS IX-H 30V與60V系列均可用於薄型表面黏著封裝DSOP Advance,兩者的PCB面積僅5mm x 6mm。選用DSOP Advance方案可顯著地幫助降低系統的溫度,使設計上允許使用較小的散熱片或省去散熱片。此外,所有的MOSFET可操作的通道溫度達175℃。





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