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次毫米級EMI分流器突破雜訊抑制限制

上網時間: 2016年01月20日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:超材料  3D  雜訊抑制  EMI  EMC 

英特爾(Intel)與台灣大學電磁相容實驗室(EMC Lab)攜手在超材料研究方面取得了突破。藉由摺疊超材料形成3D的結構,英特爾贊助EMC Lab在雜訊抑制——特別是抑制電磁干擾(EMI)的最新突破,可望使下一代高速介面更易於實現電磁相容性(EMC)。

根據台灣大學電機系暨電信所(GICE)教授兼所長吳宗霖(Tzong-Lin Wu)表示,英特爾/EMC Lab的突破在於開發出一款可達到20dB雜訊抑制的次毫米級元件,取代了笨重的傳統保護元件。


實驗建置是在一個主板(中間)上饋入高速USB 3.0訊號(底部)至USB連接器,使該訊號傳送至藍色線纜,饋送負載至右側小型板卡 >

「隨著雲端運算的蓬勃發展,為下一代通訊提高資料中心及其通訊服務的頻寬與效率至關重要,」吳宗霖表示,「針對雲端運算以及其他應用,新的高速訊號傳輸設計與高頻雜訊抑制技術是實現更寬資料頻寬的關鍵。」

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在離板(頂部)的連接器處可看到微小的次毫米級(0.7x0.7x0.5mm)超材料分流器(位於線路底部的小型白色晶片),它可讓主板的EMI減少20% >

英特爾/EMC Lab據稱最先使用平面電磁能隙 (EBG)電源層來抑制電路的開關雜訊,如今也可說是首次使用超材料差分傳輸線,成功地消除了高速差分訊號中的共模雜訊。


為了便於觀察,5個微小的超材料EMI分流器就放在我的飯店磁卡上(4個成堆擺放,另1個單獨放置) >

這種微型的超材料元件——尺寸只有1.0x0.8x0.6 mm,能夠為波長較雜訊抑制元件實體尺寸更長的高速介面抑制其EMI。對於任何具有外部介面的電子元件來說,由於這種微型元件廣泛使用陶瓷或PCB製造過程,因而也較傳統的保護技術更便宜。

除了20dB的雜訊抑制以外,還可同時放置多個元件與高速傳輸線,實現高達40db (2個)、60dB (3個) 或更高的雜訊抑制效能。

編譯:Susan Hong

(參考原文:Intel Metamaterials Breakthrough,by R. Colin Johnson)





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