Global Sources
電子工程專輯
 
電子工程專輯 > 記憶體/儲存
 
 
記憶體/儲存  

新開發超導記憶體讀寫速度提升100倍

上網時間: 2016年03月23日     打印版  Bookmark and Share  字型大小:  

關鍵字:超導記憶體  記憶體  雙穩態  超導體  量子 

俄羅斯的科學家開發出一種超導記憶體單元的控制系統,只需不到1奈秒(ns)的時間,就能實現較當今所用的類似記憶體更快幾百倍的讀取與寫入速度。

來自莫斯科物理技術學院(MIPT)與莫斯科國立大學(Moscow State Univeristy)的科學家在最近一期的《應用物理快報》(Applied Physics Letters)中發表這項研究成果。

這項理論性的研究成果預測在複雜的Josephson Junction超導元件中存在雙穩態狀態。建置這種元件可能需要進行超冷卻作業,使其無法真正落實於某些應用。

由MIPT超導系統量子拓撲現象實驗室(Laboratory of Quantum Topological Phenomena in Superconducting Systems)主任Alexander Golubov為首的一支研究團隊,提出了一種在Josephson Junction類型元件中基於量子效應的記憶體單元,這是一種「超導體—電介質—超導體」結構的夾層,在接合點的一側包括了鐵磁體和一般金屬的組合。這應該是一種可透過橫向注入電流於結構中,從而實現在2種狀態(1與0)之間切換的雙穩態。透過電流流經該接合點,該系統的狀態能夠因此實現非破壞性讀取。


讀取記憶體單元各種不同狀態時的超導電流;如圖所示,電流越大,箭頭也就越大
(來源:MIPT)

取決於所使用的材料以及特定系統的幾何結構,所需的讀寫作業速度預計約幾百皮秒(ps)。

Golubov解釋,「此外,我們的方法只需要一種磁性層,這表示它可能適應所謂的單通量量子邏輯電路,也就是說不必再為處理器建立一種全新的架構。基於單通量量子邏輯的電腦可實現高達幾百兆赫(GHz)的時脈速度,而且功耗更降低了幾十倍。」

編譯:Susan Hong

(參考原文:Russian researchers propose 100x faster memory,by Peter Clarke)





投票數:   加入我的最愛
我來評論 - 新開發超導記憶體讀寫速度提升100倍
評論:  
*  您還能輸入[0]個字
*驗證碼:
 
論壇熱門主題 熱門下載
 •   將邁入40歲的你...存款多少了  •  深入電容觸控技術就從這個問題開始
 •  我有一個數位電源的專利...  •  磷酸鋰鐵電池一問
 •   關於設備商公司的工程師(廠商)薪資前景  •  計算諧振轉換器的同步整流MOSFET功耗損失
 •   Touch sensor & MEMS controller  •  針對智慧電表PLC通訊應用的線路驅動器
 •   下週 深圳 llC 2012 關於PCB免費工具的研討會  •  邏輯閘的應用


EE人生人氣排行
 
返回頁首